Применение карбида кремния

Применение карбида кремния

Монокристаллический SiC употребляют для производства радиационностойких светодиодов, высокотемпературных силовых полупроводниковых устройств, полевых транзисторов, туннельных диодов, счетчиков частиц высочайшей энергии, терморезисторов, Поликристаллический SiC употребляют в производстве нелинейных резисторов (варисторов). На базе пылеобразного SiC создают волноводные поглотители, а на базе пленок бесформенного SiC − светодиоды и солнечные элементы. SiC является многообещающим полупроводниковым Применение карбида кремния материалом для высокотемпературной и частотной электроники.

Находит применение в качестве огнеупора в металлургической индустрии. Применяется в машиностроении для футеровки тепловых печей в хим аппаратостроении. Употребляется для производства коррозионно- и эрозионностойких сопельных вставок, насадок и распылителей; для производства деталей теплообменной аппаратуры и деталей насосов для перекачки кислых смесей и других коррозионноактивных жидкостей. Употребляется Применение карбида кремния в электро-технике - для производства нагревателей высокотемпературных электропечей сопротивления (силитовые стержни), грозоразрядников для линий передачи электронного тока, нелинейных сопротивлений, в составе электроизолирующих устройств и т. д.

Обширно применяется как абразивный материал (при шлифовании), для резания жестких материалов, точки инструментов.

Карбид кремния употребляется в сверхбыстрых высоковольтных диодиках Шоттки, N Применение карбида кремния-МОП-транзисторах и в высокотемператур-ных тиристорах. По сопоставлению с устройствами на базе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют последующие достоинства:

· в пару раз большая ширина запрещённой зоны;

· в 10 раз большая напряженность поле электронного пробоя;

· высочайшие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);

· теплопроводимость в 3 раза Применение карбида кремния больше, чем у кремния, и практически в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;

· устойчивость к воздействию радиации;

· стабильность электронных черт при изменении температуры и отсутствие дрейфа характеристик во времени.

Карбид кремния употребляется для производства графена при помощи графитизации при больших температурах, что рассматривается как один из многообещающих способов синтеза графена в огромных Применение карбида кремния масштабах для практических применений.

Разработка получения полупроводниковых материалов. Способ Чохральского.

Способ Чохральского

Способ Чохральского обеспечивает высочайшее структурное совершенство получаемых монокристаллов.

Начальный материал загружают в тугоплавкий тигель и нагревают до расплавленного состояния. Потом затравочный кристалл в виде узкого стержня поперечником в несколько мм устанавливают в охлаждаемый кристаллодержатель и погружают в Применение карбида кремния расплав. Столбик расплава, осуществляющий связь возрастающего кристалла с расплавом, поддерживается силой поверхностного натяжения и сформировывает мениск меж поверхностью расплава и возрастающим кристаллом. При всем этом граница расплав-кристалл, т.е. фронт кристаллизации, оказывается расположенной над поверхностью расплава.

После частичного оплавления торца затравки ее вкупе с возрастающим на ней кристаллом Применение карбида кремния вытягивают из расплава. В итоге теплоотвода через затравку на ней начинается ориентационная кристаллизация. Поперечник возрастающего кристалла регулируют методом подбора скорости вытягивания и температуры расплава. В процессе вытягивания кристалл крутят с целью смешивания расплава и выравнивания температуры на фронте кристаллизации.

Преимущество способа Чохральского состоит в том, что кристалл вырастает Применение карбида кремния в свободном пространстве без контакта со стенами тигля, при всем этом довольно просто можно поменять поперечник возрастающего кристалла и зрительно держать под контролем рост.

Более значимым недочетом способа Чохральского является значимая хим неоднородность выращиваемых кристаллов, выражающаяся в однообразном изменении состава поочередных слоев кристалла повдоль направления роста.


primenenie-kompyuternih-tehnologij-v-buhgalterskom-uchete.html
primenenie-kondensatorov-v-elektricheskih-shemah.html
primenenie-kosvennogo-vnusheniya-k-i-platonov-slovo-kak-fiziologicheskij-i-lechebnij-faktor.html